中国工程院院士 唐任远：攻克抽水蓄能 大型变速机组技术瓶颈

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与常见的高结晶性小分子材料不同的是，工程攻克NDI-N虽然具有高度的结晶性，但同时还表现出良好的成膜性，具备了作为可印刷阴极界面层的有利条件。电子顺磁共振（ESR）结果表明NDI-N可以掺杂非富勒烯受体，院院并且在IT-4F与NDI-N接触的界面处形成偶极，从而提高电子的传输和收集效率。

单载流子器件的I-V曲线表明，士唐在NDI-N掺杂了非富勒烯受体后，器件的电流密度比不掺杂的情况相比提高了6倍。其中，任远NDI-N在用作可印刷阴极界面层方面显示出巨大的优势。抽水（b）NDI-N与NDI-Br的吸收和透射光谱。

这一结果刷新了大面积OSC的效率记录，大型对有机光伏技术的产业化和实际应用具有重要意义。【团队介绍】康倩：变速东北师范大学和中国科学院化学研究所联合培养2016级硕士研究生，主要研究领域为有机太阳能电池界面层材料的制备与表征。

机组技术图1.（a）NDI-N与NDI-Br的合成路线。

【图文导读】如图1b所示，瓶颈NDI-N和NDI-Br的吸收光谱主要在波长400 nm以内的紫外光区，表现出良好的透光性，对活性层吸收太阳光没有负面影响。d)在hBN(顶部)和SiO2(底部)上具有接触区域的器件电荷注入示意图，中国其中红色和蓝色箭头分别表示电子和空穴的注入。

通过从头计算，工程攻克作者证实金属/vdWS/衬底之间的相互作用决定了肖特基势垒高度，进而决定了SBFET表现出的传导行为。院院数值模拟结果表明肖特基势垒场效应晶体管(SBFET)模型可以完全解释双极性vdWS。

士唐这一转变显然是因为电子和空穴之间的固有肖特基势垒高度比的增加(qφiBe/φiBh)。b)不同栅极电压范围下的能带示意图，任远其中黄色方块、红色和蓝色球分别代表金属触点、电子和空穴。